项目名称
 
射频砷化镓集成电路系列
 
项目简介
 

   GaAs单片射频集成电路在移动通讯市场得到广泛应用。有很强的市场竞争优势。产品主要包括手机中射频功率放大器、射频开关;移动基站里射频开关、衰减器,放大器等。 55所建立并完善了基于砷化镓标准工艺线的砷化镓器件(MESFET,PHEMT,HBT)的工艺和IC设计技术,并开发出相应的批生产技术、射频电路设计技术及射频自动测试技术等,成为我国第一个自主建设的3英寸砷化镓MMIC工艺设计和加工中心,打破了国外企业在这个领域内的垄断状态,有利的促进了我国通信产业的国产化进程。 55所已开发了K104、K108、S101、F103、PA310等40余种GaAs单片射频集成电路产品,包括砷化镓射频开关、衰减器、低噪声放大器、功率放大器等。主流产品已经在性能和可靠性上超过了国外同类产品的水平,并已实现批量生产。2007年上半年, GaAs IC销售量已达4000K。 欢迎各通信厂家使用55所GaAs射频产品。欢迎各通信厂家与55所共同合作开发生产GaAs射频产品。并可以根据客户要求定制GaAs射频产品。

 
 
单位名称
 
中国电子科技集团公司第五十五研究所
 
联 系 人
 
朱健
 
联系电话
 
025-86858306
 

江苏省科学技术厅 主办
南通科技情报研究所 南通科技开发交流中心 承办
 
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