项目名称
 
InGaAs PIN 探测器用MOCVD微结构材料
 
项目简介
 

  应用领域: 二十世纪未及二十一世纪初,通信技术在全世界的范围得到前所未有的大力发展,光通信技术作为通信技术的主要支撑技术之一,已经遍及社会应用的各个角落,特别是光纤入户已经是未来社会通讯领域发展的趋势。作为光接收核心元件的InGaAs PIN 探测器,它的应用空间显得非常巨大。 技术指标: 衬底尺寸:Ф2“;失配度<1000PPM ;杂质浓度<2×1015/cm3; 用上述材料制成的器件性能: 暗电流<0.1nA(φ75μm,-5V) 响应度>0.9(1310nm) 转折电压>42V 成品率>85%。 创新内容: 用MOCVD方法进行InGaAs PIN 探测器材料生长,并建立质量保证方法,用研制的材料所制成的器件参数:暗电流最好已达到0.05 nA(φ75μm,-5V)。 InGaAs PIN 探测器外延片

 
 
单位名称
 
中国电子科技集团公司第五十五研究所
 
联 系 人
 
 
联系电话
 
 

江苏省科学技术厅 主办
南通科技情报研究所 南通科技开发交流中心 承办
 
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